Valmistajan tuotenumero:
STU3N80K5
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STU3N80K5-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Varasto:
87 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12878031
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STU3N80K5 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
SuperMESH5™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STU3N80
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
STU3N80K5-DG
497-14223-5
-497-14223-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STD5N60M2
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
STP7N52K3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
STP30NM50N
MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
