Valmistajan tuotenumero:

STU6N60DM2

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STU6N60DM2-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12875925

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

STU6N60DM2 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

STMicroelectronics

Paketti

Tube

Sarja

MDmesh™ DM2

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

600 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

5A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

1.1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

6.2 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±25V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

274 pF @ 100 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

60W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

I-PAK

Pakkaus / Kotelo

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Perustuotenumero

STU6N60

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

stmicroelectronics

STL15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

stmicroelectronics

STP14NK60Z

MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB

stmicroelectronics

STI76NF75

MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK

stmicroelectronics

STD7NK30Z

MOSFET N-CH 300V 5A DPAK