Valmistajan tuotenumero:
STU6N65K3
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STU6N65K3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Varasto:
12878793
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STU6N65K3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
SuperMESH3™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STU6N65
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
-497-13593-5
497-13593-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPU80R1K4P7AKMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
6
DiGi OSA NUMERO
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
Yksikköhinta
0.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPS65R950C6AKMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
150
DiGi OSA NUMERO
IPS65R950C6AKMA1-DG
Yksikköhinta
0.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
