Valmistajan tuotenumero:
STU6N65M2-S
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STU6N65M2-S-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Varasto:
12876786
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STU6N65M2-S Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ M2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
226 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STU6N65
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STU6N65M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
543
DiGi OSA NUMERO
STU6N65M2-DG
Yksikköhinta
0.44
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
STL75N8LF6
MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
STH240N75F3-6
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6