Valmistajan tuotenumero:
STU9HN65M2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STU9HN65M2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Varasto:
2373 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12879444
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STU9HN65M2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ M2
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STU9H
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
497-16026-5
-497-16026-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STD12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
STL12N10F7
MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
