Valmistajan tuotenumero:
STULED656
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STULED656-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Varasto:
12876608
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STULED656 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
895 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
70W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STULED
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
497-13981-5
STULED656-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPS65R950C6AKMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
150
DiGi OSA NUMERO
IPS65R950C6AKMA1-DG
Yksikköhinta
0.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STB20NM60D
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STP9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
STFI26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
