Valmistajan tuotenumero:
STV200N55F3
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STV200N55F3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 55 V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Varasto:
12879648
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STV200N55F3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
STripFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
55 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
200A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
10-PowerSO
Pakkaus / Kotelo
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Perustuotenumero
STV200
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
600
Muut nimet
-497-7028-1
1805-STV200N55F3TR
497-7028-6
-497-7028-2
1805-STV200N55F3CT
497-7028-2
1805-STV200N55F3DKR
497-7028-1
1026-STV200N55F3
-497-7028-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTA200N055T2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXTA200N055T2-DG
Yksikköhinta
1.77
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STDLED656
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
STL18N55M5
MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
STW60NM50N
MOSFET N-CH 500V 68A TO247