Valmistajan tuotenumero:
STW28N60M2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STW28N60M2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
96 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12877138
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STW28N60M2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ II Plus
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
170W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
STW28
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
-497-14292-5
STW28N60M2-DG
497-14292-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STI8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
SCTH50N120-7
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
