Valmistajan tuotenumero:
CSD23201W10
Product Overview
Valmistaja:
Texas Instruments
Osan numero:
CSD23201W10-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 12 V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Varasto:
12795974
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
CSD23201W10 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Texas Instruments
Paketti
-
Sarja
NexFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
82mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
-6V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 6 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
4-DSBGA (1x1)
Pakkaus / Kotelo
4-UFBGA, DSBGA
Perustuotenumero
CSD232
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
296-24258-2-NDR
-296-24258-1-NDR
-HPA00788W10
2156-CSD23201W10
-296-24258-1-DG
296-24258-6
296-24258-2
296-24258-6-NDR
296-24258-1
-HPA00788W10-NDR
2156-CSD23201W10-TITR-DG
296-24258-1-NDR
TEXTISCSD23201W10
-CSD23201W10-NDR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
CSD23202W10
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
14404
DiGi OSA NUMERO
CSD23202W10-DG
Yksikköhinta
0.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
CSD16321Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
CSD18535KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
CSD17484F4T
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
