Valmistajan tuotenumero:
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
2SA1869-Y(JKT,Q,M)-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
Varasto:
12890049
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
600mV @ 200mA, 2A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Teho - Max
10 W
Taajuus - siirtyminen
100MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-220NIS
Perustuotenumero
2SA1869
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2SA1869YJKTQM
2SA1869-Y(JKTQM)
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SA1428-Y,T2F(J
TRANS PNP 50V 2A MSTM
2SA1162S-Y, LF(D
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
2SA1943-O(Q)
TRANS PNP 230V 15A TO3P
