Valmistajan tuotenumero:
2SA949-Y(TE6,F,M)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
2SA949-Y(TE6,F,M)-DG
Kuvaus:
TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 50 mA 120MHz 800 mW Through Hole TO-92MOD
Varasto:
12890185
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
8Gyw
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SA949-Y(TE6,F,M) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - kollektori (ic) (enintään)
50 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
150 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
800mV @ 1mA, 10A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Teho - Max
800 mW
Taajuus - siirtyminen
120MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Toimittajan laitepaketti
TO-92MOD
Perustuotenumero
2SA949
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2SA949-Y(TE6FM)
2SA949YTE6FM
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
2SA1201-Y(TE12L,ZC
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
788
DiGi OSA NUMERO
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
Yksikköhinta
0.13
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SA1020-O(TE6,F,M)
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
BCX56-16-TP
TRANS NPN 80V 1A SOT89
FMMT38CTA
TRANS NPN DARL 60V 0.3A SOT23-3
