Valmistajan tuotenumero:
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
2SC3669-Y(T2OMI,FM-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 80V 2A MSTM
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
Varasto:
12891429
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
2Tib
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2SC3669-Y(T2OMI,FM Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
2 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
80 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 1A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
1µA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Teho - Max
1 W
Taajuus - siirtyminen
100MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
SC-71
Toimittajan laitepaketti
MSTM
Perustuotenumero
2SC3669
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
2SC3669-Y(T2OMIFM
2SC3669YT2OMIFM
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SC4604,T6F(J
TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
2SA1587-BL,LF
TRANS PNP 120V 0.1A SC70
2SC2859-Y(TE85L,F)
TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
