Valmistajan tuotenumero:
HN1C01FU-Y,LF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
HN1C01FU-Y,LF-DG
Kuvaus:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Varasto:
24787 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889131
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
HN1C01FU-Y,LF Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaaritransistorisarjat
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
150mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Teho - Max
200mW
Taajuus - siirtyminen
80MHz
Käyttölämpötila
125°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
US6
Perustuotenumero
HN1C01
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
HN1C01FU-YLFDKR
HN1C01FU-Y,LF(B
HN1C01FU-YLFCT
HN1C01FU-YLFTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
