HN4C51J(TE85L,F)
Valmistajan tuotenumero:

HN4C51J(TE85L,F)

Product Overview

Valmistaja:

Toshiba Semiconductor and Storage

Osan numero:

HN4C51J(TE85L,F)-DG

Kuvaus:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

Varasto:

6983 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12891919
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

HN4C51J(TE85L,F) Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaaritransistorisarjat
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN (Dual) Common Base
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
120V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Teho - Max
300mW
Taajuus - siirtyminen
100MHz
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-74A, SOT-753
Toimittajan laitepaketti
SMV
Perustuotenumero
HN4C51

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

DMMT3904WQ-7-F

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

nexperia

BCM847BS/ZLF

TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP

diodes

IMT4-7-F

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

diodes

DST857BDJ-7

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963