Valmistajan tuotenumero:
RN1109ACT(TPL3)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN1109ACT(TPL3)-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Varasto:
12891570
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN1109ACT(TPL3) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
80 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
47 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Teho - Max
100 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-101, SOT-883
Toimittajan laitepaketti
CST3
Perustuotenumero
RN1109
Lisätietoja
Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
RN1109ACT(TPL3)DKR
RN1109ACT(TPL3)TR
RN1109ACT(TPL3)CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PDTC144TMB,315
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
PDTC144TMB,315-DG
Yksikköhinta
0.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PDTC144TM,315
VALMISTAJA
NXP Semiconductors
Saatavilla oleva määrä
38937
DiGi OSA NUMERO
PDTC144TM,315-DG
Yksikköhinta
0.03
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PDTC144WM,315
VALMISTAJA
NXP Semiconductors
Saatavilla oleva määrä
120000
DiGi OSA NUMERO
PDTC144WM,315-DG
Yksikköhinta
0.03
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN1106MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
