Valmistajan tuotenumero:
RN1117MFV,L3F
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN1117MFV,L3F-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Varasto:
12890995
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
kKVC
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN1117MFV,L3F Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
10 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
4.7 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
150 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-723
Toimittajan laitepaketti
VESM
Perustuotenumero
RN1117
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
RN1117MFVL3F
RN1117MFVL3F-DG
264-RN1117MFV,L3FTR
264-RN1117MFV,L3FDKR
264-RN1117MFV,L3FCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN2106,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2310,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1403,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
