Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
RN1118(T5L,F,T)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN1118(T5L,F,T)-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12890882
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
V
I
v
z
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN1118(T5L,F,T) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
47 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
100 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-75, SOT-416
Toimittajan laitepaketti
SSM
Perustuotenumero
RN1118
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
RN1114,5,6,7,8
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN1118(T5LFT)CT
RN1118(T5LFT)TR
RN1118T5LFT
RN1118(T5LFT)DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PDTC144VM,315
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
PDTC144VM,315-DG
Yksikköhinta
0.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN2115MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1112(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3