RN1301,LF
Valmistajan tuotenumero:

RN1301,LF

Product Overview

Valmistaja:

Toshiba Semiconductor and Storage

Osan numero:

RN1301,LF-DG

Kuvaus:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Varasto:

4217 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889488
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

RN1301,LF Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
4.7 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
4.7 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
100 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-70, SOT-323
Toimittajan laitepaketti
SC-70
Perustuotenumero
RN1301

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN1301LFTR
RN1301(TE85LF)DKR-DG
RN1301(TE85LF)TR
RN1301(TE85LF)-DG
RN1301TE85LF
RN1301,LF(B
RN1301(TE85LF)TR-DG
RN1301(TE85LF)
RN1301(TE85LF)CT-DG
RN1301(TE85L,F)
RN1301(TE85LF)CT
RN1301 (TE85L,F)
RN1301,LF(T
RN1301LFCT
RN1301LFDKR
RN1301(TE85LF)DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

DDTA123JUA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2413TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2427TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

diodes

DDTD143EU-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323