Valmistajan tuotenumero:
RN2103ACT(TPL3)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN2103ACT(TPL3)-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Varasto:
10000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12891284
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN2103ACT(TPL3) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
PNP - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
80 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
22 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Teho - Max
100 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-101, SOT-883
Toimittajan laitepaketti
CST3
Perustuotenumero
RN2103
Lisätietoja
Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
RN2103ACT(TPL3)TR
RN2103ACT(TPL3)CT
RN2103ACT(TPL3)DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN2111MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1425TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI