Valmistajan tuotenumero:
RN2413,LF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN2413,LF-DG
Kuvaus:
PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Varasto:
13240544
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN2413,LF Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
PNP - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
47 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
200 MHz
Teho - Max
200 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
S-Mini
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
264-RN2413,LFTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN2412,LF
PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR
NSVMUN5234T1G
SS SC70 BR XSTR NPN 50V
NSVMMUN2231LT1G
SS SOT23 BR XSTR NPN 50V