Valmistajan tuotenumero:
RN2418,LF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN2418,LF-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Varasto:
3000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12891130
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN2418,LF Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
PNP - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
47 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
200 MHz
Teho - Max
200 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
S-Mini
Perustuotenumero
RN2418
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN2418LFDKR
RN2418LFCT
RN2418,LF(B
RN2418LFTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN1310(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2116,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1109MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM