Valmistajan tuotenumero:
RN2703,LF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN2703,LF-DG
Kuvaus:
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Varasto:
3000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889387
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN2703,LF Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
22kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
200MHz
Teho - Max
200mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Toimittajan laitepaketti
USV
Perustuotenumero
RN2703
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN2703LFTR
RN2703LFCT
RN2703,LF(B
RN2703LFDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN2713JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2910,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
