Valmistajan tuotenumero:
RN2910(T5L,F,T)
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN2910(T5L,F,T)-DG
Kuvaus:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Varasto:
12891036
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN2910(T5L,F,T) Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
4.7kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
200MHz
Teho - Max
200mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
US6
Perustuotenumero
RN2910
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
RN2910(T5LFT)DKR
RN2910(T5LFT)CT
RN2910(T5LFT)TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4602TE85LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2906,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6