Valmistajan tuotenumero:
RN4985FE,LF(CT
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
RN4985FE,LF(CT-DG
Kuvaus:
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Varasto:
259 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889099
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RN4985FE,LF(CT Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
2.2kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz, 200MHz
Teho - Max
100mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
ES6
Perustuotenumero
RN4985
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
RN4985FE,LF(CB
RN4985FELF(CTDKR
RN4985FELF(CTTR
RN4985FELF(CTCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DCX123JH-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DCX123JH-7-DG
Yksikköhinta
0.06
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6