Valmistajan tuotenumero:
SSM3K56MFV,L3F
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
SSM3K56MFV,L3F-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Varasto:
35190 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889234
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SSM3K56MFV,L3F Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
U-MOSVII-H
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
55 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150mW (Ta)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
VESM
Pakkaus / Kotelo
SOT-723
Perustuotenumero
SSM3K56
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
8,000
Muut nimet
SSM3K56MFVL3FDKR
SSM3K56MFVL3FTR
SSM3K56MFV,L3F(B
SSM3K56MFV,L3F(T
SSM3K56MFVL3FCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
TK13E25D,S1X(S
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
