Valmistajan tuotenumero:
SSM3K7002KF,LXHF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
SSM3K7002KF,LXHF-DG
Kuvaus:
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 270mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Varasto:
17268 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12964329
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SSM3K7002KF,LXHF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
270mW (Ta)
Käyttölämpötila
150°C
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
S-Mini
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
264-SSM3K7002KFLXHFCT
SSM3K7002KF,LXHF(B
264-SSM3K7002KFLXHFTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
