Valmistajan tuotenumero:
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TJ40S04M3L(T6L1,NQ-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 40 V 40A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
Varasto:
2000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12889561
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
U-MOSVI
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
40A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
+10V, -20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4140 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
68W (Tc)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK+
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
TJ40S04
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
TJ40S04M3LT6L1NQ
264-TJ40S04M3L(T6L1,NQCT
264-TJ40S04M3L(T6L1,NQTR
TJ40S04M3L(T6L1NQ
264-TJ40S04M3L(T6L1,NQDKR
TJ40S04M3L(T6L1NQ-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TK25N60X5,S1F
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TK50E10K3(S1SS-Q)
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
SSM3J334R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
