Valmistajan tuotenumero:
TK10A60W5,S5VX
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TK10A60W5,S5VX-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Varasto:
12890608
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TK10A60W5,S5VX Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tube
Sarja
DTMOSIV
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
450mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 300 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
30W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220SIS
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
TK10A60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
TK10A60W5S5VX
TK10A60W5,S5VX(M
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FCPF600N60Z
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
171833
DiGi OSA NUMERO
FCPF600N60Z-DG
Yksikköhinta
1.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
