Valmistajan tuotenumero:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TK25N60X,S1F-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Varasto:
12889157
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
OhEm
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TK25N60X,S1F Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tube
Sarja
DTMOSIV-H
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 300 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
180W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
TK25N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPW65R125C7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
80
DiGi OSA NUMERO
IPW65R125C7XKSA1-DG
Yksikköhinta
2.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH34N65X2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
89
DiGi OSA NUMERO
IXFH34N65X2-DG
Yksikköhinta
4.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS