Valmistajan tuotenumero:
TK39N60W5,S1VF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TK39N60W5,S1VF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Varasto:
3172 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12890996
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TK39N60W5,S1VF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tube
Sarja
DTMOSIV
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
74mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
270W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
TK39N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF(S
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON