Valmistajan tuotenumero:
TK62N60W,S1VF
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TK62N60W,S1VF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Varasto:
12890640
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
5cAU
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TK62N60W,S1VF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tube
Sarja
DTMOSIV
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
40mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 3.1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
400W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
TK62N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
APT77N60BC6
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
3
DiGi OSA NUMERO
APT77N60BC6-DG
Yksikköhinta
10.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXKH70N60C5
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
301
DiGi OSA NUMERO
IXKH70N60C5-DG
Yksikköhinta
14.49
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TPCA8064-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
