Valmistajan tuotenumero:
TPH1R405PL,L1Q
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TPH1R405PL,L1Q-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 45 V 120A (Tc) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Varasto:
12920883
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TPH1R405PL,L1Q Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
U-MOSIX-H
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
45 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 500µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 22.5 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Käyttölämpötila
175°C
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOP Advance (5x5)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
TPH1R405
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
264-TPH1R405PLL1QTR
264-TPH1R405PLL1QCT
TPH1R405PL,L1Q(M
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TK20J60W,S1VE
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK20E60W5,S1VX
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH2R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP