Valmistajan tuotenumero:
TPH5900CNH,L1Q
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TPH5900CNH,L1Q-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 9A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Varasto:
14354 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12891302
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TPH5900CNH,L1Q Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
U-MOSVIII-H
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 75 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOP Advance (5x5)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
TPH5900
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
TPH5900CNHL1QTR
TPH5900CNH,L1Q(M
TPH5900CNHL1QCT
TPH5900CNHL1QDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TK39N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
