Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
TPH8R008NH,L1Q
Product Overview
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Osan numero:
TPH8R008NH,L1Q-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Varasto:
9870 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12891159
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TPH8R008NH,L1Q Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
U-MOSVIII-H
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
34A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.6W (Ta), 61W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOP Advance (5x5)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
TPH8R008
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
TPH8R008NH
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
TPH8R008NHL1Q
TPH8R008NHL1QTR
TPH8R008NH,L1Q(M
TPH8R008NHL1QDKR
TPH8R008NHL1QCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
TK380P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
TK55S10N1,LQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
TK6R7P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK