Valmistajan tuotenumero:
TPH3202PD
Product Overview
Valmistaja:
Transphorm
Osan numero:
TPH3202PD-DG
Kuvaus:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Varasto:
13446567
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TPH3202PD Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Transphorm
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±18V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
65W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP15N60M2-EP
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
334
DiGi OSA NUMERO
STP15N60M2-EP-DG
Yksikköhinta
0.76
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK10E60W,S1VX
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
30
DiGi OSA NUMERO
TK10E60W,S1VX-DG
Yksikköhinta
1.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN