Valmistajan tuotenumero:
TPH3208PS
Product Overview
Valmistaja:
Transphorm
Osan numero:
TPH3208PS-DG
Kuvaus:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Varasto:
13447137
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TPH3208PS Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Transphorm
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (enintään)
±18V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
96W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
TPH3208
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
