Valmistajan tuotenumero:
IRF510SPBF
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
IRF510SPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
27540 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12921856
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF510SPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IRF510
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
*IRF510SPBF
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDP33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
NVMFS5C423NLWFT3G
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
MCAC10H03-TP
MOSFET N-CH 30V 100A DFN5060-8
