IRF614STRL
Valmistajan tuotenumero:

IRF614STRL

Product Overview

Valmistaja:

Vishay Siliconix

Osan numero:

IRF614STRL-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Varasto:

12910980
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IRF614STRL Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IRF614

Lisätietoja

Vakio-paketti
800

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
vishay-siliconix

IRFR010TRPBF

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay-siliconix

IRFP460PBF

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

vishay-siliconix

IRLR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF640LPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3