IRF640SPBF

Valmistajan tuotenumero:

IRF640SPBF

Product Overview

Valmistaja:

Vishay Siliconix

Osan numero:

IRF640SPBF-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Varasto:

309 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12881336

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

IRF640SPBF Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Vishay

Paketti

Tube

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

200 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

18A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1300 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

TO-263 (D2PAK)

Pakkaus / Kotelo

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Perustuotenumero

IRF640

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

IRF640S(L)/SIHF640S(L)

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

50

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

vishay-siliconix

IRFI634G

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

stmicroelectronics

STL75N3LLZH5

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO220

nexperia

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223