IRF820ASTRR

Valmistajan tuotenumero:

IRF820ASTRR

Product Overview

Valmistaja:

Vishay Siliconix

Osan numero:

IRF820ASTRR-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12908351

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

IRF820ASTRR Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Vishay

Paketti

-

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

500 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±30V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

340 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

50W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

TO-263 (D2PAK)

Pakkaus / Kotelo

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Perustuotenumero

IRF820

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

IRF820ASPBF, ALPBF

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

800

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

RoHS non-compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

vishay-siliconix

IRFB17N60K

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR9210TRLPBF

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

vishay-siliconix

IRF520STRL

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR24N10D

MOSFET N-CH 100V DPAK