IRF830SPBF

Valmistajan tuotenumero:

IRF830SPBF

Product Overview

Valmistaja:

Vishay Siliconix

Osan numero:

IRF830SPBF-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Varasto:

1095 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12869594

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

IRF830SPBF Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Vishay

Paketti

Tube

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

500 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

610 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

TO-263 (D2PAK)

Pakkaus / Kotelo

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Perustuotenumero

IRF830

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

50

Muut nimet

*IRF830SPBF

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

vishay-siliconix

IRF9540SPBF

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

nxp-semiconductors

BSP304A,126

MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3

vishay-semi-diodes

VS-FA72SA50LC

MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227

stmicroelectronics

STB160N75F3

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK