IRFR120TRPBF-BE3
Valmistajan tuotenumero:

IRFR120TRPBF-BE3

Product Overview

Valmistaja:

Vishay Siliconix

Osan numero:

IRFR120TRPBF-BE3-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Varasto:

3970 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12975589
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IRFR120TRPBF-BE3 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
IRFR120

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Power MOSFET

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
742-IRFR120TRPBF-BE3TR
742-IRFR120TRPBF-BE3DKR
742-IRFR120TRPBF-BE3CT

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
micro-commercial-components

SI3134KWA-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-323

micro-commercial-components

SI3401AHE3-TP

P-CHANNEL MOSFET,SOT-23

rohm-semi

RQ3E160ADTB1

NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET

micro-commercial-components

MCB150N06KY-TP

N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK