Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IRLI640G
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
IRLI640G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12961694
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRLI640G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4V, 5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
40W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Perustuotenumero
IRLI640
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IRLI640G
Tietokortit
IRLI640G
HTML-tietolomake
IRLI640G-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
*IRLI640G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FQPF19N20C
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
783
DiGi OSA NUMERO
FQPF19N20C-DG
Yksikköhinta
0.57
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
RCX160N20
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
500
DiGi OSA NUMERO
RCX160N20-DG
Yksikköhinta
0.55
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRF200B211
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
4746
DiGi OSA NUMERO
IRF200B211-DG
Yksikköhinta
0.51
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRLI640GPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRLI640GPBF-DG
Yksikköhinta
1.38
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
IRLS640A
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRLS640A-DG
Yksikköhinta
0.77
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SQD40N06-25L-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
SI3429EDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
SIHP10N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK