Valmistajan tuotenumero:
SI4464DY-T1-E3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SI4464DY-T1-E3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
494 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12912962
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
MpSx
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SI4464DY-T1-E3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
240mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
SI4464
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SI4464DY-T1-E3TR
SI4464DY-T1-E3CT
SI4464DY-T1-E3DKR
SI4464DYT1E3
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF7465TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
19748
DiGi OSA NUMERO
IRF7465TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FDS2734
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
12237
DiGi OSA NUMERO
FDS2734-DG
Yksikköhinta
0.81
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF840LCSTRL
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
