Valmistajan tuotenumero:
SI7113ADN-T1-GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SI7113ADN-T1-GE3-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 10.8A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Varasto:
12916187
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
1VEs
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SI7113ADN-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
132mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
515 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
27.8W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® 1212-8
Perustuotenumero
SI7113
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SI7113ADN-T1-GE3CT
SI7113ADN-T1-GE3DKR
SI7113ADN-T1-GE3TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RQ7E110AJTCR
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1294
DiGi OSA NUMERO
RQ7E110AJTCR-DG
Yksikköhinta
0.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
RQ3L050GNTB
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
14048
DiGi OSA NUMERO
RQ3L050GNTB-DG
Yksikköhinta
0.24
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SI7380ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SI1411DH-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
