Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SIHF7N60E-E3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SIHF7N60E-E3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12916527
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SIHF7N60E-E3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
31W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220 Full Pack
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
SIHF7
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
SIHF7N60E
Tietokortit
SIHF7N60E-E3
HTML-tietolomake
SIHF7N60E-E3-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
SIHF7N60EE3
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STF10NM60N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
553
DiGi OSA NUMERO
STF10NM60N-DG
Yksikköhinta
1.34
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
R6007ENX
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
129
DiGi OSA NUMERO
R6007ENX-DG
Yksikköhinta
0.92
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FCPF7N60YDTU
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
3222
DiGi OSA NUMERO
FCPF7N60YDTU-DG
Yksikköhinta
1.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
SPA07N60C3XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
487
DiGi OSA NUMERO
SPA07N60C3XKSA1-DG
Yksikköhinta
0.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
TK12A60D(STA4,Q,M)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
54
DiGi OSA NUMERO
TK12A60D(STA4,Q,M)-DG
Yksikköhinta
1.15
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SUM70N04-07L-E3
MOSFET N-CH 40V 70A TO263
SIR432DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
SIHF15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
BUK969R3-100E,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK