Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SIHG22N60S-E3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SIHG22N60S-E3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12917848
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SIHG22N60S-E3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5620 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
250W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247AC
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SIHG22
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
SIHG22N60S
Tietokortit
SIHG22N60S-E3
HTML-tietolomake
SIHG22N60S-E3-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
25
Muut nimet
Q9931851
SIHG22N60SE3
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
APT34M60B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT34M60B-DG
Yksikköhinta
11.84
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
APT34F60B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
9
DiGi OSA NUMERO
APT34F60B-DG
Yksikköhinta
12.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IXFH28N60P3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
182
DiGi OSA NUMERO
IXFH28N60P3-DG
Yksikköhinta
3.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IXFH36N60P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH36N60P-DG
Yksikköhinta
6.71
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FCH170N60
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
11513
DiGi OSA NUMERO
FCH170N60-DG
Yksikköhinta
2.97
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI7446BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SUD25N04-25-E3
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6