Valmistajan tuotenumero:
SIHH080N60E-T1-GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SIHH080N60E-T1-GE3-DG
Kuvaus:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Varasto:
3157 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12950359
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SIHH080N60E-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
E
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
32A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2557 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
184W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 8 x 8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR
742-SIHH080N60E-T1-GE3CT
742-SIHH080N60E-T1-GE3TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
