Valmistajan tuotenumero:
SIR688DP-T1-GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SIR688DP-T1-GE3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Varasto:
12921024
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SIR688DP-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
60A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3105 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® SO-8
Perustuotenumero
SIR688
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tuotteen piirustukset
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SIR688DP-T1-GE3DKR
SIR688DP-T1-GE3-DG
SIR688DP-T1-GE3TR
SIR688DP-T1-GE3CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RS3L045GNGZETB
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1173
DiGi OSA NUMERO
RS3L045GNGZETB-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
RS1L145GNTB
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1003
DiGi OSA NUMERO
RS1L145GNTB-DG
Yksikköhinta
0.81
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIHU7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
SIHP24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
