Valmistajan tuotenumero:
SIR874DP-T1-GE3
Product Overview
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Osan numero:
SIR874DP-T1-GE3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Varasto:
12966449
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SIR874DP-T1-GE3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Vishay
Paketti
-
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
985 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Pakkaus / Kotelo
PowerPAK® SO-8
Perustuotenumero
SIR874
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
CSD16412Q5A
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
4364
DiGi OSA NUMERO
CSD16412Q5A-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
CSD16410Q5A
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
2506
DiGi OSA NUMERO
CSD16410Q5A-DG
Yksikköhinta
0.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MSJU11N65-TP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
SIB413DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
